d라이브러리

미국과 일본 반도체 회사들이 새로운 차세대 기술을 발표하면서 경쟁이 치열해짐. IBM의 C모스 트랜지스터, 일본전기의 실리콘 바이폴라트랜지스터, 히타치의 16메가 S램, 후지쓰의 64메가D램 기술이 혁신을 주도.

삼성전자가 개발한 4메가 비트 F램은 강유전체를 활용해 전원이 꺼져도 정보가 유지되는 비휘발성을 지님으로써 저장버튼의 필요성을 줄일 전망이다. 성균관대 이재찬 교수는 F램의 상용화를 위해 신뢰성 문제에 대한 연구를 진행 중이며, 기존 소재를 대체할 새로운 물질 BLT 개발에

성균관대와 삼성전자 연구팀이 대량 합성에 성공한 그래핀은 가볍고 유연하면서도 강한 신축성을 가진 차세대 반도체 소재입니다. 기존 대비 크기를 확대하여 10cm 지름 필름까지 제조 가능해져, 휘는 디스플레이 등에 활용될 것으로 기대됩니다.